IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R600PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R600PFD7SAUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C (Tj) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reel Quantity 2500 —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 227 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin