IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD70R1K4P7SAUMA1 بواسطة Infineon و IPN70R1K4P7SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ نشط
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD70R1K4P7SAUMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (CoolMOS P7)
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Series — CoolMOS P7
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر