IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD70R1K4P7SAUMA1 bằng Infineon và IPN70R1K4P7SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD70R1K4P7SAUMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (CoolMOS P7)
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Product Series — CoolMOS P7
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá