IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD80R600P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPD80R600P7ATMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Channel Type | — | N-Channel |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |