IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R600P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R600P7ATMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Channel Type | — | N-Channel |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |