IPD90N04S403ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N04S403ATMA1 بواسطة Infineon و IPD046N08N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD90N04S403ATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 90 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 94 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| مستوى MSL | MSL1 (peak reflow up to 260C) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche-tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Package) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| حالة RoHS | — | ROHS3 Compliant |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |