IPD90N04S403ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90N04S403ATMA1 tarafından Infineon ve IPD046N08N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD90N04S403ATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 90 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 94 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (peak reflow up to 260C) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche-tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Package) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| RoHS Durumu | — | ROHS3 Compliant |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |