IPD90N06S404ATMA2 vs IPD90N04S403ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N06S404ATMA2 بواسطة Infineon و IPD90N04S403ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD90N06S404ATMA2 | IPD90N04S403ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 150 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Operating Temperature (TJ max) | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C (MSL1) | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| مستوى MSL | MSL1 | MSL1 (peak reflow up to 260C) |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 90 A |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | — | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 94 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche-tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Package) |