IPD90N06S404ATMA2 vs IPD90N04S403ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD90N06S404ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD90N04S403ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD90N06S404ATMA2 IPD90N04S403ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
প্যাকেজ PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Green Product) —
MSL লেভেল MSL1 MSL1 (peak reflow up to 260C)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট