IPD90N06S404ATMA2 vs IPD90N04S403ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N06S404ATMA2 द्वारा Infineon और IPD90N04S403ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD90N06S404ATMA2 | IPD90N04S403ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 150 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Operating Temperature (TJ max) | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C (MSL1) | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | — |
| MSL स्तर | MSL1 | MSL1 (peak reflow up to 260C) |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 90 A |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | — | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 94 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche-tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Package) |