IPD90P04P405ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90P04P405ATMA2 بواسطة Infineon و IPD90P04P4L04ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD90P04P405ATMA2 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55 C to +175 C |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| عدد الدبابيس | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |