IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG16N10S4L61AATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S5L1R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPG16N10S4L61AATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (TJ) —
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100%
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
العلبة — PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
مستوى MSL — MSL1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified — Yes
حالة RoHS — Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر