IPG20N04S4L07ATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N04S4L07ATMA1 بواسطة Infineon و BSC018N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPG20N04S4L07ATMA1 BSC018N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 OptiMOS 3
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100% (per datasheet)
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 30 A
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C (TJ)
حالة RoHS — Compliant (Pb-free plating)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر