IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N04S4L11ATMA1 بواسطة Infineon و IPG16N10S461AATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPG20N04S4L11ATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | 20 A per channel | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | 11.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 41 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (260C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Technology | OptiMOS-T2 trench | OptiMOS™ trench |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Terminal Count | — | 8 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |