IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N04S4L11ATMA1 द्वारा Infineon और IPG16N10S461AATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N04S4L11ATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | 20 A per channel | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | 11.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 41 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (260C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Technology | OptiMOS-T2 trench | OptiMOS™ trench |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Terminal Count | — | 8 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |