IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N06S4L14AATMA1 بواسطة Infineon و IPG16N10S461AATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPG20N06S4L14AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) 16 A
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (junction) -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench OptiMOS™ trench
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Terminal Count — 8
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر