IPG20N10S4L35AATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N10S4L35AATMA1 بواسطة Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPG20N10S4L35AATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type Dual N-Channel (2 independent N-MOSFETs) —
Technology OptiMOS™ trench MOSFET, logic-level —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
RDS(on) Max @ VGS=10 V, ID=17 A 35 mΩ —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-level (typ. 1.7 V, fully enhanced at 4.5 V) —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 43 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8-10 (TDSON EP, wettable flank) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% avalanche tested 100 % Avalanche Tested
AEC-Q101 Qualification Yes (automotive grade) Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain Connection Exposed pad (EP) tied to drain —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر