IPG20N10S4L35AATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N10S4L35AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC50N04S5L5R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N10S4L35AATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel (2 independent N-MOSFETs) —
Technology OptiMOS™ trench MOSFET, logic-level —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
RDS(on) Max @ VGS=10 V, ID=17 A 35 mΩ —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-level (typ. 1.7 V, fully enhanced at 4.5 V) —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 43 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TDSON-8-10 (TDSON EP, wettable flank) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% avalanche tested 100 % Avalanche Tested
AEC-Q101 Qualification Yes (automotive grade) Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain Connection Exposed pad (EP) tied to drain —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں