IPL60R065C7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R065C7AUMA1 بواسطة Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R065C7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A —
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
العلبة / الحالة PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (T_J) -55°C to +150°C
حالة RoHS Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
Product Family — CoolMOS CFD7
Technology — Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
تبديد القدرة (TC=25°C) — 227 W
العلبة — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
مستوى MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر