IPL60R065C7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL60R065C7AUMA1 توسط Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL60R065C7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A —
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
بسته‌بندی / کیس PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C (T_J) -55°C to +150°C
وضعیت RoHS Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
Product Family — CoolMOS CFD7
Technology — Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
اتلاف توان (TC=25°C) — 227 W
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
سطح MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت