IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R065C7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R105P7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T_J)
العلبة PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant with Exemption
خالٍ من الهالوجين Yes —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
العلبة / الحالة — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر