IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL60R105P7AUMA1 توسط Infineon و IPL60R065C7AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL60R105P7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T_J)
بسته‌بندی PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant with Exemption
بدون هالوژن Yes —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
بسته‌بندی / کیس — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت