IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R105P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R065C7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R105P7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T_J)
Paket PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant with Exemption
Klorürsüz Yes —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
Paket / Kas — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin