IPL65R115CFD7AUMA1 vs IPB110P06LMATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL65R115CFD7AUMA1 بواسطة Infineon و IPB110P06LMATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPL65R115CFD7AUMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | CoolMOS CFD7 (Superjunction) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 24 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 144 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Body Diode | Integrated Fast Recovery | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +175 C (TJ) |
| العلبة | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |