IPL65R115CFD7AUMA1 vs IPB110P06LMATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL65R115CFD7AUMA1 מאת Infineon ו IPB110P06LMATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPL65R115CFD7AUMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | CoolMOS CFD7 (Superjunction) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 24 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 144 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Body Diode | Integrated Fast Recovery | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +175 C (TJ) |
| מארז | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| מארז / Case | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |