IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPN95R3K7P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPN80R4K5P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPN95R3K7P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS Superjunction (SJ)
العلبة PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — CoolMOS P7
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر