IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN80R4K5P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN95R3K7P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS Superjunction (SJ)
Paket PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — CoolMOS P7
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin