IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP075N15N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPP045N10N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP075N15N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
العلبة PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
نوع التركيب Through Hole Through Hole
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
حالة RoHS — Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
مستوى MSL — N/A (through-hole package)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر