IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPT008N06NM5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPT017N12NM6ATMA1 | IPT008N06NM5LFATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| العلبة | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| عدد الأطراف | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 5 / Linear FET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 454 A |
| تيار التصريف النبضي | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 0.8 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.6 V (typ, 250 µA test) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | not_qualified (industrial-grade by default) |