IPT017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC037N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT017N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | 214 W |
| العلبة | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| عدد الأطراف | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |