IPT017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT017N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC037N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT017N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | 214 W |
| Paket | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Pin Sayısı | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |