IPT059N15N3ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT059N15N3ATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT059N15N3ATMA1 BSC076N04NDATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
العلبة PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) —
عدد الأطراف 8 + exposed source tab —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر