IPT059N15N3ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT059N15N3ATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT059N15N3ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) —
Pin Sayısı 8 + exposed source tab —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin