IPT067N20NM6ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC058N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT067N20NM6ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5 40V Normal Level
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +175C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 5 trench MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر