IPT067N20NM6ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT067N20NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC058N04NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT067N20NM6ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5 40V Normal Level
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +175C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 5 trench MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin