IPTG025N15NM6ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPTG025N15NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPTG025N15NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W 300 W
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
العلبة PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55C to +150C (junction)
حالة RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Product Family — OptiMOS 6
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر