IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH35N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH35N03LM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| العلبة | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |