IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 9 (with exposed pad) | 9 |
| Cooling | Dual-side cooling capable | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |