IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V (typ)
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) —
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 9 (with exposed pad) 9
Cooling Dual-side cooling capable Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں