IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH88N06LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V (typ)
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C (TJ) —
প্যাকেজ PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 9 (with exposed pad) 9
Cooling Dual-side cooling capable Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট