IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH88N06LM5SCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
العلبة PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
عدد الأطراف — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر