IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IQDH88N06LM5SCATMA1 מאת Infineon ו IQDH88N06LM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
מארז PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
פיזור הספק (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
מספר פינים — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר