IQDH88N06LM5SCATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH88N06LM5SCATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N04NM7VATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQDH88N06LM5SCATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
العلبة PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-TDSON-8 (source-down)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
مستوى MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر