IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE008N03LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE008N03LM5SCATMA1 بواسطة Infineon و IQE008N03LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ) |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| العلبة | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (WHTFN) |
| Configuration | Single N-Channel | Dual N-Channel MOSFET Array |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (top + bottom cooling) |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 252 A (per channel, case-temperature limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 0.85 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Polarity | — | N-Channel |
| عدد الدبابيس | — | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) |