IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE012N03LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE065N10NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| العلبة | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 13 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |