IQE013N04LM6ATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE013N04LM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE013N04LM6ATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
العلبة PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TTFN-9-3 (surface mount)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (per distributor listing)
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر