IQE013N04LM6ATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE013N04LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE013N04LM6ATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
پیکیج PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TTFN-9-3 (surface mount)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per distributor listing)
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں