IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE031N08LM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ نشط
Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 (40 V to 100 V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 127 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] —
Gate Drive Level Logic-level —
العلبة PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) -55°C to +175°C (TJ)
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
عدد الأطراف — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر