IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE031N08LM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQDH88N06LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 (40 V to 100 V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 127 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] —
Gate Drive Level Logic-level —
पैकेज PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) -55°C to +175°C (TJ)
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
पावर डिसिपेशन (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
पिन काउंट — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

डेटाशीट और संसाधन

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