IQE036N08NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE036N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE036N08NM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| العلبة | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) | -55 C to +175 C |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse, per datasheet) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |